探討媒晶劑對a半水石膏結(jié)晶形態(tài)的作用機理時，媒晶劑主要以兩種方式進行：(1)在晶體的某個晶面上做選擇性吸附；(2)改變晶面的比表面自由能。根據(jù)S．E．Edinger的實驗證明：石膏的晶面由Ca2+組成，能選擇吸附一價正負離子；而晶面由Ca2斗和S0：組成，對正負離子均可吸附，但相對來說，陽離子在S0；上的吸附更強烈。因此可以認為，單一媒晶劑引入的金屬陽離子大多吸附于面上，這種吸附將改變面的比表面自由能，并阻礙了晶體生長基元向該晶面貼附，從而降低了該晶面方向上的生長速率，相對來講面發(fā)育正常，故晶形仍呈針狀或棒狀。

當兩種或兩種以上的媒晶劑復(fù)合摻人時，既考慮陽離子的作用，石膏加工又考慮具有更強烈吸附的陰離子團的作用，如多元羧酸鹽的陰離子。和陽離子組成的復(fù)合媒晶劑即可被選擇吸附到面上配位，如圖2-3-15所示。當含有羧基酸鹽的媒晶劑溶于鹽溶液中后，ERC00]?；鶊F一端與晶面的Ca”發(fā)生吸附連接，另一端則與A13+連接，形成網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)吸附于面上。這樣，負吸附性極強的ERC00]。能同時與Ca2+、A13+離子吸附配位，結(jié)果在面上形成了一層由有機大分子吸附金屬離子構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)狀“緩沖薄膜”。石膏粉磨機根據(jù)周期性鍵鏈(PBC)理論的觀點，結(jié)晶生長基元要結(jié)合到吸附有上述網(wǎng)絡(luò)狀薄膜的晶面上是比較困難的，因為它要破壞晶面上已存在的網(wǎng)絡(luò)狀薄膜的吸附鍵后，才能向晶面結(jié)合。因此說網(wǎng)狀薄膜阻礙了結(jié)晶基元在該晶面上的結(jié)合，從而減緩了石膏晶體在c軸方向上的生長速度，使各個方向的生長速率接近平衡，故復(fù)合媒晶劑能產(chǎn)生較好的轉(zhuǎn)晶效果，使產(chǎn)物呈六方短柱狀。

上述的探討已被x光電子能譜和電子探針分析所證實，因此復(fù)合媒晶劑的作用機理可解釋為：由于金屬陽離子和具有更強烈吸附的陰離子基團的共同作用，在c軸方向的晶面上選擇吸附形成網(wǎng)絡(luò)狀“緩沖薄膜”，從而阻礙了結(jié)晶基元在該方向晶面上的結(jié)合和生長，使晶體沿各個方向的生長速率接近平衡，產(chǎn)物即呈六方短柱狀。

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